參數(shù)資料
型號： 2N6075A
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 晶閘管
英文描述： SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： 2N6075A
MIN
0.094
MAX
0.110
MIN
2.40
MAX
2.80
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
0.015
0.291
0.030
0.335
0.38
7.40
0.75
8.50
0.118
0.413
0.134
0.472
3.00
10.50
3.40
12.00
0.024
0.035
0.62
0.90
0.045
0.055
1.14
1.40
TO-126 (REV:R3)
15.70
0.618
2.25
4.50
0.089
0.177
2.10
0.083
DIMENSIONS
INCHES
SYMBOL
MILLIMETERS
1.27
0.050
3.75
0.148
Central
Semiconductor Corp.
TM
TO-126 CASE - MECHANICAL OUTLINE
2N6071, A, B
2N6073, A, B
2N6075, A, B
SENSITIVE GATE TRIAC
4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
R0 (27-April 2004)
LEAD CODE:
1) MT1
2) MT2
3) GATE
MARKING CODE:
FULL PART NUMBER
相關PDF資料
PDF描述
2N6075B SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
2N6071 TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6071A TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6071B TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6076 Small Signal Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075A 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-126
2N6075AG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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