參數(shù)資料
型號： 2N6075B
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 晶閘管
英文描述： SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： 2N6075B
2N6071, A, B
2N6073, A, B
2N6075, A, B
SENSITIVE GATE TRIAC
4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
TO-126 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (27-April 2004)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6071, A, B
series types are silicon sensitive gate triacs
designed for such applications as light dimmers,
motor controls, heating controls and power
supplies.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS:
(TJ=25°C unless otherwise noted)
2N6071
2N6071A
2N6071B
200
2N6073
2N6073A
2N6073B
400
4.0
30
3.7
10
0.5
5.0
-40 to +150
-40 to +110
3.5
75
2N6075
2N6075A
2N6075B
600
SYMBOL
VDRM, VRRM
IT(RMS)
ITSM
I
2
t
PGM
PG(AV)
VGM
Tstg
TJ
Θ
JC
Θ
JA
TL
UNITS
V
A
A
A
2
s
W
W
V
°C
°C
°C/W
°C/W
°C
Peak Repetitive Off-State Voltage
RMS On-State Current (TC=85°C)
Peak One Cycle Surge (60Hz, TJ=110°C)
I
2
t Value for Fusing (t=8.3ms)
Peak Gate Power (TC=85°C)
Average Gate Power (t=8.3ms, TC=85°C)
Peak Gate Voltage (TC=85°C)
Storage Temperature
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
Maximum Lead Temperature
260
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
A Series
TYP MAX
B Series
TYP MAX
SYMBOL
IDRM, IRRM
IDRM, IRRM
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IH
IH
VGT
VGT
VTM
ton
dv/dt
TEST CONDITIONS
VD=Rated VDRM, VRRM, TJ=25°C
VD=Rated VDRM, VRRM, TJ=110°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD I, TJ=25°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD II, TJ=25°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD III, TJ=25°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD IV, TJ=25°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD I, TJ= -40°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD II, TJ= -40°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD III, TJ= -40°C
VD=12V, RL=100
,
QUAD IV, TJ= -40°C
VD=12V, IT=1.0A, TJ=25°C
VD=12V, IT=1.0A, TJ= -40°C
VD=12V, RL=100
,
TJ=25°C, QUAD I, II, III, IV
VD=12V, RL=100
,
TJ= -40°C, QUAD I, II, III, IV
ITM=6.0A
ITM=14A, IGT=100mA
VD= Rated VDRM, ITM=5.7A
,
TJ=85°C
TYP MAX
UNITS
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
μs
V/μs
10
2.0
30
-
30
-
60
-
60
-
30
70
2.0
2.5
2.0
10
2.0
5.0
5.0
5.0
10
20
20
20
30
15
30
2.0
2.5
2.0
10
2.0
3.0
3.0
3.0
5.0
15
15
15
20
15
30
2.0
2.5
2.0
1.5
5.0
1.5
5.0
1.5
5.0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6076_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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