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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5912 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Matched N-Channel JFET Pairs(最小柵源擊穿電壓-25V，柵極工作電流-1pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 匹配N溝道場效應(yīng)對（最小柵源擊穿電壓- 25V的，柵極工作電流，僅為1pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | 2N5912 |
2N5911/5912
Siliconix
P-37407—Rev. C, 04-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
10
0
–16
–20
–4
8
2
0
5
0
–12
–20
–16
–4
4
2
1
0
6
4
3
–8
–12
–8
100
10
1
0.1
100
1000
100
10
1
0.1
100
1000
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
0 V
f = 1 MHz
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
10 V
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
0 V
f = 1 MHz
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
C
r
10 V
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
g
ig
b
ig
Input Admittance
f – Frequency (MHz)
g
is
b
is
f – Frequency (MHz)
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
b
fg
Forward Admittance
–b
fs
g
fs
–
C
i
200
500
200
500
10
1
0.1
0.01
100
1000
100
10
1
0.1
100
1000
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
–b
rg
–g
rg
g
rg
Reverse Admittance
f – Frequency (MHz)
–b
rs
–g
rs
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
g
og,
g
os
b
og,
b
os
Output Admittance
f – Frequency (MHz)
200
500
200
500
V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V
–g
fg
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6071 | SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS |
| 2N6071A | SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS |
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| 2N6073 | SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5912 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET DUAL N TO-78 |
| 2N5912_TO-71 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET |
| 2N5912C_TO-71 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET |
| 2N5912-E3 | 功能描述:JFET 25V 1pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5913 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:2N5913 |
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