參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5885
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 25 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： 2N5885
PNP 2N5883, 2N5884*, NPN 2N5885, 2N5886*
http://onsemi.com
5
V
V
1000
700
500
0.3
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
10
0.5
0.7
1.0
3.0
5.0
7.0
10
30
70
50
30
20
100
h
200
300
V
CE
= 4.0 V
2.0
20
PNP DEVICES
2N5883 and 2N5884
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
Figure 9. DC Current Gain
h
NPN DEVICES
2N5885 and 2N5886
2.0
0.01
I
B
, BASE CURRENT (AMPERES)
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
I
C
= 2.0 A
T
J
= 25
°
C
5.0 A
1.2
1.6
0.05
0.5
10 A
I
B
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
T
J
= 25
°
C
2.0
0.3
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
7.0
10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
20
V
BE
@ V
CE
= 4 V
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
T
J
= 25
°
C
V
T
J
= 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0
7.0
10
30
2.0
20
V
CE
= 4.0 V
T
J
= 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
2.0
5.0
20 A
I
C
= 2.0 A
5.0 A
10 A
20 A
1000
700
500
10
70
50
30
20
100
200
300
2.0
0.01
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
1.2
1.6
0.05
0.5
2.0
5.0
2.0
0.3
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
7.0
10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
5.0
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4 V
Figure 10. Collector Saturation Region
Figure 11. Collector Saturation Region
Figure 12. “On” Voltages
Figure 13. “On” Voltages
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5886 Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，80V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
2N5903 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5904 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5905 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5906 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5885 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5887 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*