參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5885
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 25 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： 2N5885
PNP 2N5883, 2N5884*, NPN 2N5885, 2N5886*
http://onsemi.com
2
I
*Indicates JEDEC Registered Data.
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
3. f
T
= |h
fe
|
f
test
.
(I
C
= 200 mAdc, I
B
= 0)
80
–
2.0
–
(V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0)
2N5984, 2N5886
(V
= 80 Vdc, V
= 1.5 Vdc, T
= 150
°
C)
I
EBO
Collector Cutoff Current
(V
= 80 Vdc, V
= 1.5 Vdc)
CE
BE(off)
C
–
–
I
CEX
–
1.0
–
10
mAdc
1.0
(V
CB
= 60 Vdc, I
E
= 0)
CB
E
–
1.0
Emitter Cutoff Current (V
EB
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 2)
C
B
C
CE
(I
C
= 25 Adc, V
CE
V
BE(sat)
BE(on)
FE
–
4.0
–
C
B
C
CE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
CE
test
T
1000
500
(V
= 10 Vdc, I
= 0, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
C
ob
–
–
SWITCHING CHARACTERISTICS
CC
= 30 Vdc, I
C
= 10 Adc,
B1
= I
B2
= 1 0 Adc)
r
200
00
25
50
75
100
125
150
200
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
P 125
100
50
125
150
175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5886 Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，80V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
2N5903 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5904 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5905 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5906 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5885 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5887 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
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