參數(shù)資料
型號： 2N5883
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon PNP Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述： 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： 2N5883
PNP 2N5883, 2N5884*, NPN 2N5885, 2N5886*
http://onsemi.com
5
V
V
1000
700
500
0.3
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
10
0.5
0.7
1.0
3.0
5.0
7.0
10
30
70
50
30
20
100
h
200
300
V
CE
= 4.0 V
2.0
20
PNP DEVICES
2N5883 and 2N5884
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
Figure 9. DC Current Gain
h
NPN DEVICES
2N5885 and 2N5886
2.0
0.01
I
B
, BASE CURRENT (AMPERES)
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
I
C
= 2.0 A
T
J
= 25
°
C
5.0 A
1.2
1.6
0.05
0.5
10 A
I
B
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
T
J
= 25
°
C
2.0
0.3
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
7.0
10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
20
V
BE
@ V
CE
= 4 V
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
T
J
= 25
°
C
V
T
J
= 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0
7.0
10
30
2.0
20
V
CE
= 4.0 V
T
J
= 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
2.0
5.0
20 A
I
C
= 2.0 A
5.0 A
10 A
20 A
1000
700
500
10
70
50
30
20
100
200
300
2.0
0.01
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
1.2
1.6
0.05
0.5
2.0
5.0
2.0
0.3
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
7.0
10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
5.0
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4 V
Figure 10. Collector Saturation Region
Figure 11. Collector Saturation Region
Figure 12. “On” Voltages
Figure 13. “On” Voltages
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5884 Complementary Silicon High Power Transistors(補(bǔ)償型硅高功率晶體管)
2N5885 Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
2N5886 Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，80V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
2N5903 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5904 MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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2N5883G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5884 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5884G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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