參數(shù)資料
型號： 2N5883
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon PNP Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述： 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 127K
代理商： 2N5883
PNP 2N5883, 2N5884*, NPN 2N5885, 2N5886*
http://onsemi.com
3
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuits
2.0
0.3
Figure 3. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
t
1.0
0.5
0.2
0.07
0.05
0.02
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
30
T
J
= 25
°
C
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 30 V
V
BE(off)
= 2 V
0.03
0.3
20
0.1
10
2N5883, 2N5884 (PNP)
2N5885, 2N5886 (NPN)
t
r
t
d
0.7
+2.0 V
0
t
r
≤
20ns
-11V
10 to 100 s
DUTY CYCLE
≈
2.0%
R
B
R
L
V
CC
-30 V
TO SCOPE
t
r
≤
20 ns
V
CC
-30 V
TO SCOPE
t
r
≤
20 ns
R
L
R
B
+9.0V
0
-11V
10 to 100 s
DUTY CYCLE
≈
2.0%
t
r
≤
20ns
V
BB
+7.0 V
3.0
10
3.0
10
TURN–ON TIME
TURN–OFF TIME
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, R
B
& R
L
ARE VARIED.
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
FOR NPN, REVERSE ALL POLARITIES.
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PDF描述
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2N5883/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors
2N5883G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5884 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5884G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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