參數(shù)資料
型號： 2N5657
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 497K
代理商： 2N5657
2N5657
SILICON NPN TRANSISTOR
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
s
NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The 2N5657 is a silicon epitaxial-base NPN
transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is
intended for use output amplifiers, low current,
high voltage converters and AC line relays.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
December 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
375
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
350
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
6
V
IC
Collector Current
0.5
A
ICM
Collector Peak Current
1
A
IB
Base Current
0.25
A
Ptot
Total Dissipation at Tc
≤ 25 oC20
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
oC
3
2
1
SOT-32
1/5
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