型號: | 2N5643 |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 92K |
代理商: | 2N5643 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N5657 | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
2N5730 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2N5646 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SI NPN POWER HF BJI |
2N5652 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
2N5653 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
2N5654 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15MA I(DSS) | TO-92 |
2N5655 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |