參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5462
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-4mA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓40V的，最小飽和漏極電流，四毫安的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
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代理商： 2N5462
2N/SST5460 Series
Siliconix
S-52431—Rev. C, 05-May-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
–0.01
–0.1
–1
100
80
0
60
40
20
A
V
–
I
D
– Drain Current (mA)
Assume V
DD
= –15 V, V
DS
= –5 V
g
fs
R
L
1
R
L
g
os
V
GS(off)
= 1.5 V
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
10
0
4
8
12
16
20
8
6
4
2
0
5
0
4
8
12
16
20
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
i
–5 V
–15 V
f = 1 MHz
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–5 V
–15 V
f = 1 MHz
2.5
–0.1
–1
–10
10
1
0.1
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
g
f
T
A
= –55 C
125 C
10
100
1 k
100 k
10 k
100
10
1
–0.1
–1
–10
20
16
0
12
8
4
Output Conductance vs. Drain Current
S
g
o
–
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= –55 C
125 C
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= –15 V
I
D
= –0.1 mA
I
D
= –1 mA
25 C
V
DS
= –15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= 3 V
V
DS
= –15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= 3 V
V
GS(off)
= 3 V
25 C
A
V
R
L
10 V
I
D
(
e
n
/
√
)
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2N5462_Q 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5462-E3 功能描述:JFET 40V 4mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5462G 功能描述:JFET 40V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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