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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5302 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | 2N5302 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3109E4 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3109.MOD | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3109.MODE4 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3137 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3172 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5302/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistor |
| 2N5302_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High−Power NPN Silicon Transistor |
| 2N5302G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5302G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5302J | 制造商: 功能描述: |
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