型號: | 2N3109E4 |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
封裝: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 11K |
代理商: | 2N3109E4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3109.MOD | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
2N3109.MODE4 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
2N3137 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3172 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N3750 | 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N311 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-43 |
2N3110 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3114CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
2N3114CSM_09 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |