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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5194 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP Power Transistor(4A,40W,60V（集電極-發(fā)射極）,硅PNP功率晶體管) |
| 中文描述： | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 封裝： | CASE 77-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | 2N5194 |
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
3
R
2.0
0.005
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. “On” Voltage
0.01 0.02 0.03 0.05
0.2 0.3
1.0
2.0
4.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
0.1
0.5
3.0
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
+2.5
Figure 4. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
@ V
CE
T
J
= -65
°
C to +150
°
C
V
θ
°
+2.0
+1.5
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θ
V
B
for V
BE
*
θ
V
C
for V
CE(sat)
+1.0
0.005 0.01 0.020.03 0.05
0.20.3
1.0
2.0
4.0
0.1
0.5
3.0
10
3
+0.4
Figure 5. Collector Cut–Off Region
V
BE
, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
2
10
1
10
0
10
-1
,
I
10
-2
10
-3
+0.3
+0.2
+0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
V
CE
= 30 Vdc
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
I
CES
10
7
20
Figure 6. Effects of Base–Emitter Resistance
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
40
60
80
100
120
140
160
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
V
CE
= 30 V
I
C
= 10 x I
CES
I
C
= 2 x I
CES
I
C
≈
I
CES
(TYPICAL I
CES
VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 5)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit
APPROX
-11 V
TURN-ON PULSE
V
in
t
1
V
BE(off)
TURN-OFF PULSE
V
in
t
3
t
2
APPROX
-11 V
V
CC
SCOPE
R
B
C
jd
<<C
eb
+4.0 V
t
1
≤
7.0 ns
100 < t
2
< 500
μ
s
t
3
< 15 ns
DUTY CYCLE
≈
2.0%
V
in
R
C
0
R
B
AND R
C
VARIED
TO OBTAIN DESIRED
CURRENT LEVELS
500
0.1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance
0.2 0.3
0.5
1.0
3.0
5.0
20
40
300
200
100
70
50
T
J
= 25
°
C
C
2.0
10
30
C
eb
C
cb
APPROX
+9.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N5194G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N5195 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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