參數(shù)資料
型號： 2N5089
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器)
中文描述： 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： 2N5089
2
DC Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 0
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
- 40 °C
125 °C
β
= 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 0
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
P 0
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( o
75
100
125
150
0.1
1
10
I
C
V = 45V
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P 07
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce=5V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
2N5160 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-39
2N5164 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
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參數(shù)描述
2N5089_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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