參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5089
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器)
中文描述： 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 211K
代理商： 2N5089
2
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 100
μ
A, V
CE
= 5.0 V
2N5088
2N5089
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V
2N5088
2N5089
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V*
2N5088
2N5089
300
400
350
450
300
400
900
1200
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V
0.5
0.8
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
30
25
35
30
V
V
V
V
nA
nA
nA
nA
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
CBO
Collector Cutoff Current
V
CB
= 20 V, I
E
= 0
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V, I
C
= 0
V
EB
= 4.5 V, I
C
= 0
50
50
50
100
I
EBO
Emitter Cutoff Current
Spice Model
NPN (Is=5.911f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=62.37 Bf=1.122K Ne=1.394 Ise=5.911f Ikf=14.92m Xtb=1.5 Br=1.271
Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1.61 Cjc=4.017p Mjc=.3174 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.973p Mje=.4146 Vje=.75 Tr=4.673n
Tf=821.7p Itf=.35 Vtf=4 Xtf=7 Rb=10)
I
C
= 500
μ
A,V
CE
= 5.0 mA,
f = 20 MHz
V
CB
= 5.0 V, I
E
= 0, f = 100 kHz
V
BE
= 0.5 V, I
C
= 0, f = 100 kHz
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V,
2N5088
f = 1.0 kHz
I
C
= 100
μ
A, V
CE
= 5.0 V,
R
= 10 k
,
f = 10 Hz to 15.7 kHz
50
MHz
C
cb
C
eb
h
fe
Collector-Base Capacitance
Emitter-Base Capacitance
Small-Signal Current Gain
4.0
10
1400
1800
3.0
2.0
pF
pF
2N5089
2N5088
2N5089
350
450
NF
Noise Figure
dB
dB
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5160 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-39
2N5164 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
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參數(shù)描述
2N5089_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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