參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5089
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Silicon Amplifier Transistor(硅NPN放大器晶體管)
中文描述： 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： 2N5089
2N5088, 2N5089
http://onsemi.com
4
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h
0.05
2.0
3.0
10
0.02
0.03
0.2
1.0
0.1
5.0
F
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
0.7
0.5
0.5
0.2
0.3
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
Figure 9. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 10. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.01
0
0.8
1.2
1.6
2.4
T
J
= 25
°
C
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C to 125
°
C
55
°
C to 25
°
C
R
θ
T
°
0.4
2.0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10 20
50
100
f
C
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
T
J
= 25
°
C
C
cb
C
ob
C
eb
C
ib
1.0
2.0
5.0
3.0
7.0 10
20
30
50 70
100
500
300
200
70
50
100
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
Figure 11. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. CurrentGain — Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5089 NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器)
2N5160 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-39
2N5164 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N5165 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N5166 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5089_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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