參數資料
型號： 2N5089
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Silicon Amplifier Transistor(硅NPN放大器晶體管)
中文描述： 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： 2N5089
2N5088, 2N5089
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
2N5088
2N5089
V
(BR)CEO
30
25
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
2N5088
2N5089
V
(BR)CBO
35
30
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 15 Vdc, I
E
= 0)
2N5088
2N5089
I
CBO
50
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB(off)
= 3.0 Vdc, I
C
= 0)
(V
EB(off)
= 4.5 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
50
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
2N5088
2N5089
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
2N5088
2N5089
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc) (Note 2)
2N5088
2N5089
h
FE
300
400
350
450
300
400
900
1200
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc) (Note 2)
V
BE(on)
0.8
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 500 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
f
T
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 5.0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
cb
4.0
pF
EmitterBase Capacitance
(V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
C
eb
10
pF
SmallSignal Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N5088
2N5089
h
fe
350
450
1400
1800
Noise Figure
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, R
S
= 1.0 k , f = 1.0 kHz)
2N5088
2N5089
NF
3.0
2.0
dB
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述
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