參數(shù)資料
型號： 2N4918
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS
中文描述： 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： 2N4918
2N4918 thru 2N4920
http://onsemi.com
5
TYPICAL DC CHARACTERISTICS
R
V
-0.2
1000
700
2.0
Figure 8. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
3.0
5.0
10
20 30
200 300 500
2000
500
200
100
70
50
Figure 9. Collector Saturation Region
1.0
0.2
IB, BASE CURRENT (mA)
0
0.3
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
200
0.8
0.6
0.4
0.2
IC = 0.1 A
TJ = 25
°
C
0.25 A
0.5 A
1.0 A
300
h
TJ = 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
VCE = 1.0 V
30
20
50
100
1000
3.0
30
100
108
0
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
30
60
90
120
150
107
105
104
103
VCE = 30 V
IC = 10 ICES
IC = 2x ICES
IC
≈
ICES
ICES VALUES
OBTAINED FROM
FIGURE 13
106
1.5
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. “On” Voltage
5.0
10
20 30
50
100
200300
2000
1.2
0.9
0.6
0.3
0
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
3.0
500
1000
VBE @ VCE = 2.0 V
102
Figure 12. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
101
100
10-1
,
I
10-2
103
-0.1
0
+0.1
+0.2
+0.3
+0.4
+0.5
VCE = 30 V
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
FORWARD
IC = ICES
104
+2.5
2.0
Figure 13. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
2000
TJ = -55
°
C to +100
°
C
T
°
+2.0
+1.5
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θ
VB FOR VBE
*
θ
VC FOR VCE(sat)
TJ = 100
°
C to 150
°
C
*APPLIES FOR IC/IB <
hFE@VCE
1.0V
2
+1.0
300 500
1000
REVERSE
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