參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4339
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AA
封裝： HERMETIC SEALED, TO-18, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： 2N4339
2N4338/4339/4340/4341
Vishay Siliconix
Document Number: 70240
S-40990—Rev. F, 24-May-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
500
0
0.3
0.2
0.1
0.4
0.5
400
300
200
100
0
Transfer Characteristics
VGS Gate-Source Voltage (V)
TA = 55_C
125_C
VGS(off) = 0.7 V
VDS = 10 V
25_C
1.5
0
0.3
0.4
0.2
0.1
0.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
VGS(off) = 0.7 V
TA = 55_C
125_C
VGS Gate-Source Voltage (V)
VDS = 10 V
f = 1 kHz
25_C
2
0
1.2
1.6
2
0.8
0.4
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Transfer Characteristics
VGS Gate-Source Voltage (V)
TA = 55_C
125_C
VGS(off) = 1.5 V
25_C
VDS = 10 V
4
1.2
2
1.6
0.8
0.4
0
3.2
2.4
1.6
0.8
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
VGS(off) = 1.5 V
TA = 55_C
125_C
VGS Gate-Source Voltage (V)
25_C
VDS = 10 V
f = 1 kHz
0.1
1
0.01
0.1
1
200
160
120
80
40
0
2000
1600
1200
800
400
0
ID Drain Current (mA)
AV +
gfs RL
1 ) RLgos
RL +
10 V
ID
Assume VDD = 15 V, VDS = 5 V
VGS(off) = 0.7 V
1.5 V
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
On-Resistance vs. Drain Current
ID Drain Current (mA)
TA = 25_C
VGS(off) = 0.7 V
1.5 V
I D
Drain
Current
(
A)
I D
Drain
Current
(mA)
r DS
(on)
Drain-Source
On-Resistance
(
)
g fs
Forward
T
ransconductance
(mS)
g fs
Forward
T
ransconductance
(mS)
A
V
oltage
Gain
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PDF描述
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2N4356 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-222AB
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參數(shù)描述
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2N4340-E3 功能描述:JFET 50V 3.6mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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