參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4123RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 18/24頁(yè)
文件大?。?/td> 350K
代理商： 2N4123RL
2N4123 2N4124
2–16
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 3. Frequency Variations
f, FREQUENCY (kHz)
4
6
8
10
12
2
0.1
Figure 4. Source Resistance
RS, SOURCE RESISTANCE (k)
0
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
12
4
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
14
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
f = 1 kHz
IC = 1 mA
IC = 0.5 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 1 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 500
W
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 1 k
IC = 50 mA
AUDIO SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE
(VCE = 5 Vdc, TA = 25°C)
Bandwidth = 1.0 Hz
Figure 5. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 6. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
Figure 7. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Voltage Feedback Ratio
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
5
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.5
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
oe
h
,VOL
TAGE
FEEDBACK
RA
TIO
(X
10
)
re
h ie
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.5
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.5
2
1
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.5
m
–4
h PARAMETERS
(VCE = 10 V, f = 1 kHz, TA = 25°C)
h
fe
,C
U
RRENT
G
AIN
,INPUT
IMPEDANCE
(k
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4124RL1 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124RLRA 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N2221 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
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參數(shù)描述
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2N4123TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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