參數(shù)資料
型號： 2N4123L34Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 578K
代理商： 2N4123L34Z
Test Circuits
10 K
3.0 V
275
t
1
C
1
<<<<< 4.0 pF
Duty Cycle
===== 2%
Duty Cycle
===== 2%
<<<<< 1.0 ns
- 0.5 V
300 ns
10.6 V
10
<<<<< t
1 <
<<<< 500 s
10.9 V
- 9.1 V
<<<<< 1.0 ns
0
10 K
3.0 V
275
C
1
<<<<< 4.0 pF
1N916
FIGURE 2: Storage and Fall Time Equivalent Test Circuit
FIGURE 1: Delay and Rise Time Equivalent Test Circuit
2N
412
3
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關PDF資料
PDF描述
2N4123D74Z 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123RLRP 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124RLRM 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123RL1 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123ZL1 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N4123RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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