參數(shù)資料
型號： 2N4123L34Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 578K
代理商： 2N4123L34Z
2N
41
23
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Storage Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
S
T
O
R
A
G
E
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
S
T
= 125°C
T
= 25°C
J
Fall Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
F
A
L
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
V
= 40V
CC
f
T
= 125°C
T
= 25°C
J
Current Gain
0.1
1
10
100
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-CUR
R
E
NT
GA
IN
V
= 10 V
CE
C
fe
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Output Admittance
0.1
1
10
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
O
U
TPU
T
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(
m
h
os
)
V
= 10 V
CE
C
oe
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Input Impedance
0.1
1
10
0.1
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
IN
PU
T
IM
PED
AN
C
E
(
k
)
V
= 10 V
CE
C
ie
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Voltage Feedback Ratio
0.1
1
10
1
2
3
4
5
7
10
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
V
O
LTA
G
E
F
E
D
B
A
C
K
R
A
T
IO
(x
1
0
)
V
= 10 V
CE
C
re
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
_
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4123D74Z 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123RLRP 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124RLRM 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123RL1 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123ZL1 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4123RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*