- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371457 > 2N3858A SILICON TRANSISTORS PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N3858A |
| 英文描述： | SILICON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 硅晶體管 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | 2N3858A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3867S | Silicon PNP Power Transistors |
| 2N3868S | Silicon PNP Power Transistors |
| 2N3903 | NPN Silicon General Purpose Transistors(NPN通用型晶體管) |
| 2N3904 | General Purpose NPN Silicon Transistor(40V（集電極-發(fā)射極）通用型硅NPN晶體管) |
| 2N3904 | NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3859 | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-98 |
| 2N3859A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3859A_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N3859A_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3859A_J05Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。