參數(shù)資料
型號(hào): 2N3491
廠商: SOLITRON DEVICES INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61
文件頁數(shù): 5/21頁
文件大?。?/td> 1128K
代理商: 2N3491
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5744 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N5339 5000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N5681 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N6217 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N4300 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3492 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 7.5A 3PIN TO-61 - Bulk
2N3494 制造商:RAYTHEON 制造商全稱:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches
2N3495 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
2N3496 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N3496 - Bulk
2N3497 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2