型號: | 2N3491 |
廠商: | SOLITRON DEVICES INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
文件頁數(shù): | 16/21頁 |
文件大小: | 1128K |
代理商: | 2N3491 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5744 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N5339 | 5000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5681 | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N6217 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N4300 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N3492 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 7.5A 3PIN TO-61 - Bulk |
2N3494 | 制造商:RAYTHEON 制造商全稱:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
2N3495 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N3496 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N3496 - Bulk |
2N3497 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |