型號: | 2N3114CSMG4 |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 150 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3 |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 157K |
代理商: | 2N3114CSMG4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3118 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N3135 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N3134 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N3133 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N4916 | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N3115 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N3116 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N3117 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Lvl SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3117 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Lv1 SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3118 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |