參數(shù)資料
型號： 2N3114CSMG4
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 157K
代理商： 2N3114CSMG4
SILICON PLANAR EPITAXIAL
NPN TRANSISTOR
2N3114CSM
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 5293
Issue 2
Page 2 of 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
Parameters
Test Conditions
Min.
Typ
Max.
Units
ICEO
Collector-Cut-Off Current
VCE = 150V
IB = 0
100
A
VCB = 150V
IE = 0
10
A
VCB = 100V
IE = 0
10
nA
ICBO
Collector-Cut-Off Current
TA = 150°C
10
A
VEB = 5V
IC = 0
1.0
A
IEBO
Emitter-Cut-Off Current
VEB = 4V
IC = 0
100
nA
IC = 0.1mA
VCE = 10V
15
35
IC = 30mA
VCE = 10V
30
60
120
hFE
(1)
Forward-current transfer
ratio
TA = 150°C
12
24
VCE(sat)
(1)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
IC = 50mA
IB = 5mA
1.0
VBE(sat)
(1)
Base-Emitter Saturation
Voltage
IC = 50mA
IB = 5mA
0.9
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
IC = 30mA
VCE = 10V
| hfe |
Small signal forward-current
transfer ratio
f = 20MHz
2
VCB = 20V
IE = 0
Cobo
Output Capacitance
f = 1.0MHz
9
pF
VEB = 0.5V
IC = 0
Cibo
Input Capacitance
f = 1.0MHz
80
pF
Notes
(1)
Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%
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2N3118 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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