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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3108 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 351K |
| 代理商： | 2N3108 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5320 | 75 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3737 | 1500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 2N3740A | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N3831.MOD | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3902 | 3.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3109 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N311 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-43 |
| 2N3110 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3114CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
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