參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI600VJ-120-50
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-22
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 390K
代理商： 2MBI600VJ-120-50
4
2MBI600VJ-120-50
http://www.fujisemi.com
5
IGBT Modules
Temperature characteristic (typ.)
[INVERTER]
Transient Thermal Resistance (max.)
[INVERTER]
Forward Current vs. Forward Voltage (typ.)
chip
[THERMISTOR]
Reverse Recovery Characteristics (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=0.62, Tj=125°C, 150°C
Reverse Recovery Characteristics (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=0.62, Tj=25°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
1
2
3
Forward on voltage: VF [V]
F
or
w
ar
d
cu
rr
en
t:
IF
[A
]
125°C
Tj=25°C
150°C
10
100
1000
10000
0
500
1000
1500
Forward current: IF [A]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
cu
rr
en
t:
Ir
r
[A
]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
tim
e:
tr
r
[n
se
c]
Irr
trr
0.001
0.01
0.1
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width : Pw [sec]
T
he
rm
al
re
si
st
an
se
:
R
th
(j-
c)
[°
C
/W
]
* *
*
FWD
IGBT
0.1
1
10
100
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Temperature [°C]
R
es
is
ta
nc
e
:
R
[k
]
10
100
1000
10000
0
500
1000
1500
Forward current: IF [A]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
cu
rr
en
t:
Ir
r
[A
]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
tim
e:
tr
r
[n
se
c]
Irr
trr
Tj=125
oC
Tj=150
oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N1008B 55 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N1015D NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N2657 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5
2N1208 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61
2N1918 8 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2MBI600VN-120-50 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE
2MBI600VXA-120E-50 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 600A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 600A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:800A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:3.35kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module;;RoHS Compliant: Yes
2MBI650VXA-170E-50 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 650A/1700V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 650A/1700V, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:900A, Collector Emitter Voltage Vces:2.1V, Power Dissipation Pd:4.15kW, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV, Transistor Case Style:Module, , RoHS Compliant: Yes 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module Dual 650A 1700V Cu 172x89mm
2MBI75-060 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2MBI75-120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*