參數(shù)資料
型號： 2MBI600NT-060
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： 2MBI600NT-060
0,001
0,01
0,1
1
0,01
0,1
IGBT
Diode
Transient thermal resistance
Thermal
resistance
:
R
th(j-c)
[°C/W]
Pulse width : PW [sec]
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
100
200
300
400
500
400V
300V
V
CC=200V
0
5
10
15
20
25
Dynamic input characteristics
T
j=25°C
Collector-Emitter
voltage
:
V
CE
[V]
Gate charge : Q
G [nC]
1
10
100
1000
tf
tr
toff
ton
Switching time vs. R
G
V
CC=300V, IC=600A, V GE=±15V, Tj=25°C
Switching
time
:
t
on
,t
r,
t
off
,t
f[nsec]
Gate resistance : R
G [ ]
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
T
j=125°C
25°C
Forward current vs. Forward voltage
V
GE=OV
Forward
current
:
I
F
[A]
Forward voltage : V
F [V]
0
200
400
600
800
1000
100
I
rr 25°C
t
rr 25°C
t
rr 125°C
I
rr 125°C
Reverse recovery characteristics
t
rr, Irr vs. I F
Reverse
recovery
current
:
I
rr
[A]
Reverse
recovery
time
:
t
rr
[nsec]
Forward current : IF [A]
0
100
200
300
400
500
600
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
RBSOA (Repetitive pulse)
SCSOA
(non-repetitive pulse)
Reversed biased safe operating area
+V
GE=15V, -V GE< 15V, T j< 125°C, RG> 2.7
Collector
current
:
I
C
[A]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Gate-Emitter
Voltage
:
V
GE
[V]
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