- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371440 > 29LV160B (Macronix International Co., Ltd.) 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV160B |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1,600位[2Mx8/1Mx16] CMOS單電壓3V時(shí)僅閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 762K |
| 代理商： | 29LV160B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)當(dāng)前第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)
26
P/N:PM1041
MX29LV160BT/BB
REV. 1.2, JUL. 01, 2004
R
29LV160BT/BB-70
29LV160BT/BB-90
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
45
45
ns
tDS
Data Setup Time
35
45
ns
tDH
Data Hold Time
0
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
0
0
ns
(OE High to WE Low)
tCS
CE Setup Time
0
0
ns
tCH
CE Hold Time
0
0
ns
tWP
Write Pulse Width
35
35
ns
tWPH
Write Pulse Width High
30
30
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
9/11(typ.)
9/11(typ.)
us
(Byte/Word program time)
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
50
50
us
tRB
Recovery Time from RY/BY
0
0
ns
tBUSY
Sector Erase Valid to RY/BY Delay
90
90
ns
Chip Erase Valid to RY/BY Delay
90
90
ns
Program Valid to RY/BY Delay
90
90
ns
tWPP1
Write pulse width for sector
100ns
10us(typ.) 100ns
10us(typ.)
protect (A9, OE Control)
tWPP2
Write pulse width for sector
100ns
12ms(typ.) 100ns
12ms(typ.)
unprotect (A9, OE Control)
tVLHT
Voltage transition time
4
4
us
tOESP
OE setup time to WE active
4
4
us
NOTES:
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
Table 11. Erase/Program Operations
AC CHARACTERISTICS
TA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV160B | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 29LV160C-55R | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-70 | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-90 | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV320BTC-70 | 32 BIT 4M X 8 / 2M X 16 ] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV160BE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| 29LV160BT-90V | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29LV160C-55R | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。