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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F410-100M1 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位（為512k × 8）的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | 28F410-100M1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F512 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| 28F640C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F457 | 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV % |
| 28F4773 | 制造商:MISCELLANEOUS 功能描述: |
| 28F500350 | 制造商:GE 功能描述:.25 UF 300VAC |
| 28F5003-50 | 制造商:GE 功能描述:.25 UF 300VAC |
| 28F5061FC | 制造商:GE 功能描述:OF630X1KVDC (size in notes) |
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