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參數(shù)資料
| 型號： | 28F0101024K |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 28F010 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | 28F0101024K |
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28F010
E
20
4.4
DC Characteristics
—TTL/NMOS Compatible—Commercial Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
ID
A
9
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
200
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Program are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
NOTES:
Sampled, not 100% tested.
1.
All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
= 5.0 V, V
PP
= 12.0 V, T = 25 °C. These currents are
valid for all product versions (packages and speeds).
2.
Not 100% tested: characterization data available.
3.
“Typicals” are not guaranteed, but based on a limited number of samples from production lots.
4.5
DC Characteristics
—CMOS Compatible—Commercial Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or V
SS
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
50
100
μA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
CC
±0.2 V
I
CC1
V
CC
Active Read Current
1
10
30
mA
V
CC
= V
CC
Max, CE# = V
IL
f = 6 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
10
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
15
mA
Erasure in Progress
I
CC4
V
CC
Program Verify
Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
CC5
V
CC
Erase Verify Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage Current
1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F010 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F016B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F032B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F160B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F800B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F010120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| 28F010-120EI | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F010120JC | 制造商: 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F010-120JC | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F0121-0SR | 功能描述:FERRITE 10A 48 OHM SMD RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對應(yīng)阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812（4532 公制） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度（最大）:0.069"（1.75mm） 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm） 其它名稱:Q1712807A |
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