參數資料
型號: 1PMT5925BT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package
中文描述: 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 70K
代理商: 1PMT5925BT1G
1PMT5920B Series
http://onsemi.com
4
Figure 7. Effect of Zener Current
I
Z
, ZENER TEST CURRENT (mA)
1 k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
500
Z
Z
T
J
= 25
°
C
i
Z(rms)
= 0.1 I
Z(dc)
22
V
12
V6.8 V
10,000
1000
100
10
1
10
V
Z
, REVERSE ZENER VOLTAGE (VOLTS)
C
MEASURED @ 50% V
R
MEASURED @ 0 V BIAS
Figure 8. Capacitance versus Reverse
Zener Voltage
100
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PDF描述
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1PMT5925C/TR13 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000
1PMT5925C/TR7 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000
1PMT5925CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000