參數(shù)資料
型號： 1N750
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Zener Diodes(齊納二極管)
中文描述： 齊納二極管（齊納二極管）
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 1N750
1N746 THRU 1N759
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Type
Number
Nominal
Zener Voltage
V
Z
@ I
ZT
(3)
(Volts)
Test
Current
I
ZT
(mA)
Maximum Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
(1)
(
)
Maximum
Regulator Current
I
ZM
(2)
(mA)
Maximum Reverse Leakage Current
T
A
= 25°C
I
R
@ V
R
= 1V
(
μ
A)
T
A
= 150°C
I
R
@ V
R
= 1V
(
μ
A)
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
NOTES:
(1) The Zener Impedance is derived from the 1 KH
Z
AC voltage which results when an AC current having an RMS value equal to 10% of the Zener current (I
ZT
) is
superimposed on I
ZT
. Zener Impedance is measured at two points to insure a sharp knee on the breakdown curve and to eliminate unstable units.
(2) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
(3) Measured with device junction in thermal equilibrium.
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1N750A TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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