參數(shù)資料
型號: 1N750
廠商: GE Security, Inc.
英文描述: Zener Diodes(齊納二極管)
中文描述: 齊納二極管(齊納二極管)
文件頁數(shù): 1/2頁
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代理商: 1N750
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current (see Table “Characteristics”)
Power Dissipation at T
L
= 75°C
P
tot
500
(1)
mW
Maximum Junction Temperature
T
j
175
°C
Storage Temperature Range
T
S
– 65 to +175
°C
NOTES:
(1) T
L
is measured 3/8” from body.
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
Standard Zener voltage tolerance is ±5% for
“A” suffix. Other tolerances are available upon
request.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13 g
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
1N746 THRU 1N759
ZENER DIODES
1/6/98
SYMBOL
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
Thermal Resistance
Junction to Ambient Air
R
thJA
300
(1)
°C/W
Forward Voltage
at I
F
= 200 mA
V
F
1.5
Volts
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
NEW PRODUCT
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NEW PRODUCT
m
m
m
max.
Cathode
Mark
.020 (0.52)
max.
.079 (2.0)
DO-35
Dimensions are in inches and (millimeters)
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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1N750-1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES
1N750A 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7V .5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N750A BK 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500
1N750A TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1