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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5819 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Rectifier Diode(40V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管) |
| 中文描述： | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | 1N5819 |
1N5817, 1N5818, 1N5819
http://onsemi.com
6
NOTE 4. — HIGH FREQUENCY OPERATION
Since current flow in a Schottky rectifier is the result of
majority carrier conduction, it is not subject to junction
diode forward and reverse recovery transients due to minor-
ity carrier injection and stored charge. Satisfactory circuit
analysis work may be performed by using a model consist-
ing of an ideal diode in parallel with a variable capacitance.
(See Figure 10.)
Rectification efficiency measurements show that opera-
tion will be satisfactory up to several megahertz. For exam-
ple, relative waveform rectification efficiency is approxi-
mately 70 percent at 2.0 MHz, e.g., the ratio of dc power to
RMS power in the load is 0.28 at this frequency, whereas
perfect rectification would yield 0.406 for sine wave inputs.
However, in contrast to ordinary junction diodes, the loss in
waveform efficiency is not indicative of power loss: it is
simply a result of reverse current flow through the diode ca-
pacitance, which lowers the dc output voltage.
10
20
0.8
70
200
100
50
30
20
10
6.0
4.0
2.0
1.0
0.6
8.0
0.4
40
C
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Typical Capacitance
T
= 25
°
C
f = 1.0 MHz
1N5819
1N5818
1N5817
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PDF描述 |
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