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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5806D2B-JQRS.GCDE |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC2 VARIANT B, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | 1N5806D2B-JQRS.GCDE |
ULTRAFAST RECOVERY
RECTIFIER DIODE
1N5806D2A / 1N5806D2B
Semelab plc
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Document Number 8318
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Issue 2
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
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MECHANICAL DATA
* The additional contact provides a connection to the lid in the application. Connecting the metal lid to a known electrical potential stops deep
dielectric discharge in space applications; see the Space Weather link www.semelab.co.uk/mil/lcc1_4 on the Semelab web site. Package variant to
be specified at order.
Other Package Outlines may be available – Contact Semelab Sales to Enquire
DLCC2 Variant A (D2A)
PAD 1
ANODE
PAD 2
CATHODE
DIMENSION
mm
Inches
A
5.00 ±0.10
0.197 ±0.004
B
2.61 ±0.10
0.103 ±0.004
C
1.08 ±0.10
0.043 ±0.004
D
1.76 ±0.10
0.069 ±0.004
DLCC2 Variant B (D2B)
PAD 1
ANODE
PAD 2
CATHODE
PAD 3
LID CONTACT TO ANODE*
DIMENSION
mm
Inches
A
5.00 ±0.10
0.197 ±0.004
B
2.61 ±0.10
0.103 ±0.004
C
1.08 ±0.10
0.043 ±0.004
D
1.76 ±0.10
0.069 ±0.004
A
B
C
SOLDER PAD LAYOUT D-5A
DIMENSION
mm
Inches
A
6.25
0.246
B
1.70
0.067
C
2.67
0.105
DLCC2/ D-5A MELF OVERLAY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5811D3A-JQRS.L1DE | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811D3A-JQRS.L2D | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5814P | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N5817{TAPE-REEL} | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5818-B | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5806E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N5806E3 - Bulk |
| 1N5806E3/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N5806JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5806JTXV | 制造商:SEM 功能描述: |
| 1N5806SM | 制造商:Semtech Corporation 功能描述: |
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