參數(shù)資料
型號: 1N4448T-85
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商: 1N4448T-85
相關PDF資料
PDF描述
1N916T-88 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1S2471T-16A 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1SS132T-73 0.12 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34
1SS142T-16A 0.2 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1SS142T-72 0.2 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N4448TAP 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448-TAP 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448-TP 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448TR 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448-TR 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 100V 150mA DO-35 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE, 100V, 150mA, DO-35; Diode Type:Switching; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:8ns; Forward Surge Current Ifsm Max:2A ;RoHS Compliant: Yes