型號(hào): | 1N4448T-85 |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 141K |
代理商: | 1N4448T-85 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N916T-88 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1S2471T-16A | 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1SS132T-73 | 0.12 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
1SS142T-16A | 0.2 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1SS142T-72 | 0.2 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N4448TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448TR | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Vr/75V Io/150mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TR | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 100V 150mA DO-35 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE, 100V, 150mA, DO-35; Diode Type:Switching; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:8ns; Forward Surge Current Ifsm Max:2A ;RoHS Compliant: Yes |