參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4151WS-V-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： 1N4151WS-V-GS08
www.vishay.com
For technical questions, contact: EMI-filter@vishay.com
Document Number: 84018
24
Rev. 1.3, 12-Jan-07
SOD323
Vishay Semiconductors
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches)
Created - Date: 24. August. 2004
Rev. 04 - Date: 23. Sep .2009
Document no.: S8-V-3910.02-001 (4)
17443
0.1
(0.004)
max.
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
2.85 (0.112)
1.5
(0.059)
1.1
(0.043)
Mounting pad layout
2.50 (0.098)
1.6 (0.063)
0.6 (0.024)
0.6
(0.024)
0.40
(0.016)
0.20
(0.00
8
)
Cathode bar
0.10
(0.004)
0.15
(0.006)
1.15
(0.045)
0.
8
(0.031)
0.40 (0.016)
0.25 (0.010)
0.2
(0.00
8
)
0°
-
8
°
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PDF描述
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參數(shù)描述
1N4151WS-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151W-V-G-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G
1N4151W-V-G-18 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G
1N4151W-V-GS08 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151W-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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