參數(shù)資料
型號： 1N4151WS-V-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 83K
代理商： 1N4151WS-V-GS08
www.vishay.com
4
Document Number 85847
Rev. 1.4, 12-Aug-10
1N4151WS-V
Vishay Semiconductors
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Package Dimensions in millimeters (inches): SOD-323
Figure 6. Admissible Repetitive Peak Forward Current vs. Pulse Duration
ν
/T
T = 1/f
=t pp
I FRM
t p
T
t
I
ν =0
0.1
0.2
0.5
10
1
-1
100
10
1
-5
10
-4
10 -3
10 -2
18709
I
-
Admissi
b
le
Repetiti
v
e
FRM
Peak
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
tp -Pulse Length (s)
Foot print recommendation:
Rev. 5 - Date: 23.Sept.2009
17443
Document no.:S8-V-3910.02-001 (4)
0.6
(0.024)
0.6 (0.024)
1.6 (0.063)
0.10
(0.004)
Cathode bar
0.20
(0.008)
0.40
(0.016)
2.50 (0.098)
1.1
(0.043)
1.5
(0.059)
2.85 (0.112)
1.60 (0.063)
1.95 (0.077)
0.15
(0.006)
0.1
(0.004)
max.
1.15
(0.045)
0.8
(0.031)
Created - Date: 24.August.2004
0.40 (0.016)
0.25 (0.010)
0.2
(0.008)
0°
to
8°
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參數(shù)描述
1N4151WS-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151W-V-G-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G
1N4151W-V-G-18 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G
1N4151W-V-GS08 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151W-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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