參數(shù)資料
型號(hào)： 100GB120DNK
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： 100GB120DNK
1
Oct-21-1997
BSM 100 GB 120 DN2
IGBT Power Module
Half-bridge
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 100 GB 120 DN2
V
CE
1200V 150A
I
C
Package
HALF-BRIDGE 2
Ordering Code
C67076-A2107-A70
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
100
150
A
I
Cpuls
200
300
P
tot
800
+ 150
W
T
j
T
stg
°C
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
V
is
-
-
-
-
≤
0.16
≤
0.3
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
100GB170DN2 IGBT Module
100GT120DN2 IGBT Module
100GXHH22 DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS)
100K6A372I THERMISTOR NTC
100U
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
100GB170DN2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
100-GC2321 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
100-GC2322 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
100-GC2323 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
100-GC6NLT1 制造商:MTU 制造商全稱:MTU 功能描述:GAS Engine-Generator Set
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