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參數(shù)資料
| 型號： | 100GT120DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 300K |
| 代理商： | 100GT120DN2 |
1
Oct-21-1997
BSM 100 GT 120 DN2
IGBT Power Module
Three single switches
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Solderable Terminals
Type
BSM 100 GT 120 DN2
V
CE
1200V 150A
I
C
Package
TRIPACK
Ordering Code
C67070-A2520-A67
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
100
150
A
I
Cpuls
200
300
P
tot
680
+ 150
W
T
j
T
stg
°C
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
V
is
-
-
-
-
≤
0.182
≤
0.36
2500
16
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 100GXHH22 | DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS) |
| 100K6A372I | THERMISTOR NTC |
| 100U | |
| 100UP | |
| 100 | 100/200 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 100GXF100M-12.5X20 | 制造商:Rubycon Corporation 功能描述: |
| 100GXHH22 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS) |
| 100H07CB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Fuse |
| 100H106PC418 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 100H143PC18 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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