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1N5558

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N5558JANTX
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
MSC
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

1N5558
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Microsemi Corporation
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1N5558
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
原廠封裝
最新
-

1N5558JANTX
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
MSC
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DO-13 SD - Bulk

1N5558 技術(shù)參數(shù)

1N5557 功能描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:49V 電壓 - 擊穿（最小值）:54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應(yīng)用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:40.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:43.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應(yīng)用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應(yīng)用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5554US/TR 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N5554US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US