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1N5616US

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  • 深圳市湘達(dá)電子有限公司
    深圳市湘達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 395

  • N/A

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

  • 1N5616US
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
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  • 1N5616US
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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 776

  • MSC

  • -
  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 400V 1A 2-Pin A-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 400V 1A 2PIN D-5A - Bulk
1N5616US 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5616C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5616 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5615US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N5615US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5615GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54 1N5619US 1N5620 1N5620C.TR 1N5620GPHE3/54 1N5620GPHE3/73 1N5620US 1N5621 1N5621GP-E3/54 1N5621GP-E3/73 1N5621GPHE3/54 1N5621US 1N5622 1N5622C.TR
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