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1N5554US/TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 功能描述
  • STD RECTIFIER
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 1000V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 3A
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf
  • 1.3V @ 9A
  • 速度
  • 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 2μs
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 1μA @ 1000V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF,E
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-5B
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 175°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 100
1N5554US/TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5554US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5554C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V 電流 - 平均整流(Io):5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:92pF @ 5V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5554 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5553US 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5553C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5614GP-E3/73 1N5614GPHE3/54 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US
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