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1N5540B

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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • 1N5540BUR-1
    1N5540BUR-1

    1N5540BUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • ZENER DIODE

  • 22+

  • -
  • 1N5540B
    1N5540B

    1N5540B

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3050

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 制造商
  • Aeroflex
  • 功能描述
  • Diode Zener 20V 5% 2-Pin DO-7
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 20V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk
1N5540B 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5539BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5539B 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):106 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 17.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5538BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5538B 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 16.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5537BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5545BUR-1 1N5546B 1N5546BUR-1 1N5550 1N5550C.TR 1N5550US 1N5551 1N5551C.TR 1N5551US 1N5552 1N5552/TR 1N5552C.TR 1N5552US 1N5552US/TR 1N5553 1N5553C.TR 1N5553US 1N5554
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