參數(shù)資料
型號： μPC8105GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： Modulator For Digital Mobile Communication Systems.(應(yīng)用于數(shù)字移動通信的調(diào)節(jié)器)
中文描述： 調(diào)制器，用于數(shù)字移動通信系統(tǒng)。（應(yīng)用于數(shù)字移動通信的調(diào)節(jié)器）
文件頁數(shù)： 3/16頁
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代理商： ΜPC8105GR
Data Sheet P10807EJ3V0DS00
3
μ
PC8105GR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
TEST CONDITIONS
Supply Voltage
V
CC
6.0
V
T
A
= +25
°
C
Power Save Voltage
V
PS
6.0
V
T
A
= +25
°
C
Power Dissipation
P
D
310
mW
T
A
= +85
°
C
*1
Operating Temperature
T
op
40 to +85
°
C
Storage Temperature
T
stg
55 to +150
°
C
*1
: Mounted on 50
×
50
×
1.6 mm double copper clad epoxy glass board
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Supply Voltage
V
CC
2.7
3.0
5.5
V
Operating Temperature
T
A
40
+25
+85
°
C
Modulator Output Frequency
f
MODout
100
400
MHz
LO1 Input Frequency
f
LO1in
P
LOin
=
10 dBm
I/Q Input Frequency
f
I/Qin
DC
10
MHz
P
I/Qin
= 600 mV
p-p
MAX (Single ended)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C, V
CC
= 3.0 V, Unless Otherwise Specified VPS
≥
1.8 V)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Circuit Current
I
CC
10
16
21
mA
No input signal
Circuit Current at Power
Save Mode
I
CC
(PS)
0.1
5
μ
A
V
PS
≤
1.0 V
Output Power
P
MODout
21.0
16.5
12.0
dBm
LO Carrier Leak
LOL
40
30
dBc
Image Rejection
(Side Band Leak)
ImR
40
30
dBc
I/Q DC = 1.5 V
P
I/Qin
= 500 mV
p-p
(Single ended)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPC8106TB Silicon MMIC 2.0 GHz Frequency Up-Converter(2.0 GHz 上變頻單片微波集成電路)
μPC8109TB Silicon MMIC 2.0 GHz Frequency Up-Converter(2.0 GHz 上變頻單片微波集成電路)
μPC8106T 2.0 GHz Upconverter ICs FOR Cellular And Cordless Phone(用于蜂窩和無繩電話的2.0GHz 上變頻轉(zhuǎn)換器)
μPC8109T 2.0 GHz Upconverter ICs FOR Cellular And Cordless Phone(用于蜂窩和無繩電話的2.0GHz 上變頻轉(zhuǎn)換器)
μPC8108T Mixer-oscillator IC(混合振蕩器集成電路)
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參數(shù)描述
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PC810A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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PC81100NIP0F 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:DIP 4pin High Speed under High Load Resistance Photocoupler
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