參數(shù)資料
型號： ZXTN04120HFF
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 120V, SOT23F, NPN medium power Darlington transistor
中文描述： 120伏特，SOT23F，npn型中等功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 441K
代理商： ZXTN04120HFF
ZXTN04120HFF
Issue 1 - May 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
Absolute maximum ratings
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in
still air conditions.
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2oz copper in still air conditions.
(c) Mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2oz copper in still air conditions.
(d)As (c) above measured at t<5secs.
Parameter
Collector-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
Limit
140
Unit
V
Collector-emitter voltage
120
V
Emitter-base voltage
10
V
Continuous collector current (c)
1
A
Peak pulse current
4
A
Base current
0.5
A
Power dissipation @ T
amb
=25°C
(a)
Linear derating factor
Power dissipation @ T
amb
=25°C
(b)
Linear derating factor
Power dissipation @ T
amb
=25°C
(c)
Linear derating factor
Power dissipation @ T
amb
=25°C
(d)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
0.84
W
6.72
1.34
mW/°C
W
P
D
10.72
1.5
mW/°C
W
P
D
12.0
2.0
mW/°C
W
P
D
16.0
mW/°C
°C
T
j
, T
stg
- 55 to 150
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient
(a)
Junction to ambient
(b)
Symbol
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
Limit
149
Unit
°C/W
93
°C/W
Junction to ambient
(c)
Junction to ambient
(d)
83
°C/W
60
°C/W
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PDF描述
ZXTN04120HFFTA 120V, SOT23F, NPN medium power Darlington transistor
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